常见的超频内存认识误区

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常见的超频内存认识误区

　　超频作为显著提升硬件价值的一种常用手段，受到众多超频DIY玩家的追捧，下面整理了一些常见的超频内存认识误区，希望对大家有所帮助!

　　常见的超频内存认识误区

　　误区一：带散热片的产品更能超频

　　配以散热片的内存，更多的是起到了美化产品形象的作用，有的甚至可能成为内存的遮羞布，让您看不到它所使用的芯片，要知道内存芯片才是决定超频下限的基础。比如一些名厂的产品，虽然并没有带上这层散热片，但这样的低规格内存就超过了很多带有散热片的高规格产品，就很能说明这个问题。所以在选购内存时，有没有散热片不是考虑因素，带散热片的产品不见得更能超频。

　　像金士顿、金邦、宇瞻、金泰克等品牌内存，每颗芯片都是厂家精挑细选后的优秀A级颗粒，发热量小不说，同时在频率方面也留有余地，即使它们不使用任何散热手段，也能有良好的表现，散热方面更不需要担心。

　　误区二：单面内存和双面内存在超频方面一样

　　这个误区可能大家有所疑惑，怎么会不一样呢?这是因为单面内存比双面内存在超频方面更有先天优势，这主要取决于芯片组的驱动负载能力。单面的内存大多为8颗芯片，如目前主流的512MB产品，双面的为16颗芯片，如目前主流的1GB产品。这就意味着后者需要更大的驱动能力，虽然工作时会通过片选信号选中一个P-Bank工作，但不工作的P-Bank仍会增加地址与控制信号线的负载。

　　所以，很明显的就可看出，8颗芯片总是要比16颗芯片更容易驱动。此外，芯片的增多，也使PCB上的信号线数量将是前者的一倍，如果设计不良，产生相互干扰的机率也就大幅度增加，这也可能会影响超频能力，不过这是相对次要的原因，就模组本身而言，超频能力更多的取决于芯片。

　　误区三：相同芯片的不同品牌意味着超频能力相同

　　有人对这个误区可能不理解，选用相同的颗粒，为什么超频能力却不同?其实对于不同品牌的两款内存条虽然采用了相同的芯片，但它们在超频性能上是存有差异的，可主要取决于产品的PCB设计及选用颗粒的品质。现市面上超频较好的颗粒多见现代、三星、英飞凌等，但这些颗粒即使是相同编号它们也是分等级的，这其中品质优秀的留给自己的原装内存，或者是关系较好的几家内存厂家。对于关系一般的厂家采购到的颗粒，就有可能是品质稍逊一些了，所以，即使采用相同芯片，但品牌不同，那么超频能力也不尽相同。

　　误区四：CSP封装的芯片意味着好超频

　　相对来说，CSP封装的内存，在技术上较TSOP-II更为先进，但却与最终内存性能的关系不太大。采用CSP封装芯片的内存，在超频方面和内存优化方面不一定就比传统的TSOP-II芯片模组强。所以大家不要过分迷信CSP封装，它本身虽然可以达到比TSOP-II更高的频率，但对外围电路的要求和电气环境的变化也比较苛刻。采用TSOP-II封装的内存，超频能力比CSP封装更强的情况更为普遍，所以CSP封装的芯片不意味着好超频。

　　误区五：规格高的内存在优化能力上比规格低的内存强

　　从理论上讲，DDR500要比DDR400规格高速度要快，而实际上却并不绝对。因为有很多高规格的内存都是靠牺牲时序优化能力来换取。像DDR500的内存条虽然标称频率更高，但并不能表示它在DDR400下具有更好的优化能力。原因很简单，DDR500所使用的芯片有可能和普通DDR400的芯片是一样的，在时序优化能力方面并不占优，而能达到DDR500更多的是通过放宽时序要求来达到的。所以，规格高的内存在优化能力上不见得比规格低的内存强。因此，玩家在选购内存时一定要注意这一点，这也体现了两种不同的选购倾向，是想得到最佳的DDR500性能还是最高的工作频率。

　　误区六：产品参数设置最大就好超频

　　这个问题可以通过事实说话，以DDR400内存为例，当用3-4-4超不上去时，就应换用BySPD的方法进行超频。有些默认CL=2.5的产品，BySPD反而会比3-4-4好超，但有些则不是，默认CL=3的产品，BySPD与3-4-4都差不多，可能会有1、2MHz的区别。估计这应该是芯片所体现出来的差异。

　　CL是一个唯一在内存初始化时写入芯片内模式寄存的参数(tRCD、tRP只需北桥控制即可)，所以它的值与芯片本身固有的可调整范围就需要匹配，如果芯片本身的局限性较大，那么调高CL值反而会造成内存子系统的不稳定而导致不能开机。所以，3-4-4虽然是一个超频时常用的设置，但如果遇到一点也不能超时，建议改用BySPD试一试，可能会有惊喜。所以，有些产品参数设置最大可不见得就好超频。

　　电脑内存工作原理

　　1.内存寻址

　　首先，内存从CPU获得查找某个数据的指令，然后再找出存取资料的位置时（这个动作称为“寻址”），它先定出横坐标（也就是“列地址”）再定出纵坐标（也就是“行地址”），这就好像在地图上画个十字标记一样，非常准确地定出这个地方。对于电脑系统而言，找出这个地方时还必须确定是否位置正确，因此电脑还必须判读该地址的信号，横坐标有横坐标的信号（也就是RAS信号，Row Address Strobe）纵坐标有纵坐标的信号（也就是CAS信号，Column Address Strobe），最后再进行读或写的动作。因此，内存在读写时至少必须有五个步骤：分别是画个十字（内有定地址两个操作以及判读地址两个信号，共四个操作）以及或读或写的操作，才能完成内存的存取操作。

　　2.内存传输

　　为了储存资料，或者是从内存内部读取资料，CPU都会为这些读取或写入的资料编上地址（也就是我们所说的十字寻址方式），这个时候，CPU会通过地址总线（Address Bus）将地址送到内存，然后数据总线（Data Bus）就会把对应的正确数据送往微处理器，传回去给CPU使用。

　　3.存取时间

　　所谓存取时间，指的是CPU读或写内存内资料的过程时间，也称为总线循环（bus cycle）。以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的特定资料，内存响应CPU后便会将CPU所需要的资料送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。因此，这整个过程简单地说便是CPU给出读取指令，内存回复指令，并丢出资料给CPU的过程。我们常说的6ns（纳秒，秒－9）就是指上述的过程所花费的时间，而ns便是计算运算过程的时间单位。我们平时习惯用存取时间的倒数来表示速度，比如6ns的内存实际频率为1／6ns＝166MHz（如果是DDR就标DDR333，DDR2就标DDR2 667）。

　　4.内存延迟

　　内存的延迟时间(也就是所谓的潜伏期，从FSB到DRAM)等于下列时间的综合：FSB同主板芯片组之间的延迟时间(±1个时钟周期)，芯片组同DRAM之间的延迟时间(±1个时钟周期)，RAS到CAS延迟时间：RAS(2-3个时钟周期,用于决定正确的行地址)，CAS延迟时间 (2-3时钟周期,用于决定正确的列地址)，另外还需要1个时钟周期来传送数据，数据从DRAM输出缓存通过芯片组到CPU的延迟时间(±2个时钟周期)。一般的说明内存延迟涉及四个参数CAS（Column Address Strobe 行地址控制器）延迟，RAS（Row Address Strobe列地址控制器）－to－CAS延迟，RAS Precharge（RAS预冲电压）延迟，Act-to-Precharge（相对于时钟下沿的数据读取时间）延迟。其中CAS延迟比较重要，它反映了内存从接受指令到完成传输结果的过程中的延迟。大家平时见到的数据3—3—3—6中，第一参数就是CAS延迟（CL＝3）。当然，延迟越小速度越快。

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