笔记本SDR内存参数详解
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoftSandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAMPC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。
内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100SDRAM内存标注格式
(1)1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间)，用时钟周期数表示，一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时)，用时钟周期数表示，一般为2;d表示TRP(RAS的预充电时间)，用时钟周期数表示，一般为2;e表示最大的tAC(相对于时钟下沿的数据读取时间)，一般为6(ns)或6。5，越短越好;f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合IntelPC100规范的为1。2版本以上;g代表修订版本;h代表模块类型;R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
(2)1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间)，用时钟周期数表示，一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时)，用时钟周期数表示;d表示TRP(RAS的预充电时间)，用时钟周期数表示;ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC;ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2;g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2;h代表模块类型;R代表DIMM已注册，256MB以上的'内存必须经过注册。
2、PC133SDRAM(版本为2.0)内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD;英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。PC133SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区;c表示最小的CL(即CAS的延迟时间)，用时钟周期数表示，一般为2或3;d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示;e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC;g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100DDRSDRAM(版本为1.0)内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s;a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区;cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5;d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示;e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5nstAC;g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM内存标注格式
其格式为：aMB/bcdPCe，例如256MB/16ECCPC800，其中a表示内存容量;b代表内存条上的内存颗粒数量;c代表内存支持ECC;d保留;e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。
(1)HYUNDAI(现代)
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：
其中HY代表现代的产品;5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM);b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef);fg代
表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);h代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系);I代表接口(0=LVTTL[LowVoltageTTL]接口);j代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片，空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-II，TD=13mmTSOP-II，TG=16mmTSOP-II);no代表速度(7=7ns[143MHz]，8=8ns[125MHz]，10p=10ns[PC-100CL2或3]，10s=10ns[PC-100CL3]，10=10ns[100MHz]，12=12ns[83MHz]，15=5ns[66MHz])。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400milTSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
1.SDRAM内存(老版本
第1字段由HY组成，代表现代产品。
第2字段代表产品类型，57代表DRAM;5D代表DDRSDRAM。
第3字段代表电压，V代表3.3V;U代表2.5V。
第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新);16代表16M(4K刷新);64代表64M(8K刷新);65代表64M(4K刷新);128代表128M(8K刷新);129代表128M(4K刷新);257代表256MB(8K刷新)。
第5字段代表数据带宽，40代表4位;80代表8位;16代表16位;32代表32位。